Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли микросхем памяти типа GDDR5 плотностью 8 Гбит, построенных на основе 20-нм технологического процесса.
Микросхемы памяти типа GDDR5 плотностью 8 Гбит предназначены для графических карт, используемых в ПК и суперкомпьютерах, для игровых консолей и ноутбуков. Видеопамять обеспечивает огромную пропускную способность для последующей обработки больших потоков данных высококачественной графики.
В Samsung отмечают, что с ростом популярности 3D-игр и предвкушением момента, когда видеоконтент в разрешении 4K станет широко распространенным, спрос на высокопроизводительную видеопамять с высокой пропускной способностью стал быстро расти.
По данным производителя, новые микросхемы памяти типа GDDR5 характеризуются выдающейся пропускной способностью. Восемь чипов плотностью 8 Гбит позволяют получить в одном корпусе объем 8 ГБ, необходимый для игровых консолей последнего поколения.
Что же касается конкретики, новая память поддерживает скорость передачи данных 8 Гбит/с в расчете на один вывод, что примерно вчетверо выше скорости обычной памяти DDR3, широко используемой в персональных компьютерах. Кроме того, конфигурация микросхем предусматривает возможность передачи данных по 32 выводам одновременно. Для получения объема 2 ГБ достаточно использовать всего две микросхемы, которые вместе смогут обрабатывать до 64 ГБ графических изображений в секунду. Это эквивалентно обработке примерно 12 видео на дисках DVD (объем 5 ГБ) с качеством Full HD в секунду.
В ближайшем будущем южнокорейский производитель будет и дальше наращивать объемы производства 20-нм микросхем памяти различных плотностей, включая чипы плотностью 4 Гбит, 6 Гбит, 8 Гбит и кристаллы более высоких плотностей.

Источник: Samsung Electronics

itc.ua